1. BC847BPDW1T2G
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BC847BPDW1T2G 

产品描述

Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 6-Pin SOT-363 T/R

内部编号

277-BC847BPDW1T2G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:15000
3000+¥0.2604
6000+¥0.2264
15000+¥0.1925
30000+¥0.1811
75000+¥0.1698
150000+¥0.1472
最小起订量:3000
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:49081
1+¥1.37
10+¥1.3
100+¥0.45
1000+¥0.3
3000+¥0.224
9000+¥0.198
最小起订量:1
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

#3

数量:16814
1+¥1.5043
10+¥1.0667
100+¥0.4445
1000+¥0.3009
3000+¥0.2393
9000+¥0.1983
24000+¥0.1915
45000+¥0.1778
99000+¥0.1504
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BC847BPDW1T2G产品详细规格

规格书 BC847BPDW1T2G datasheet 规格书
BC847BPDW1T2G datasheet 规格书
BC846-848(B,C)PDW1T1 Series
文档 Copper Wire 08/Jun/2009
产品更改通知 Wire Change 08/Jun/2009
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN, PNP
集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 200 @ 2mA, 5V
功率 - 最大 380mW
频率转换 100MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装 SOT-363
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 6SOT-363
类型 NPN|PNP
引脚数 6
最大集电极发射极电压 45 V
集电极最大直流电流 0.1 A
最小直流电流增益 200@2mA@5V
最大工作频率 100(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.25@0.5mA@10mA@NPN|0.6@5mA@100mA@NPN|0.3@0.5mA@10mA@PNP|0.65@5mA@100mA@PNP V
最大集电极基极电压 50 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 380 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 0.1
最低工作温度 -55
Maximum Transition Frequency 100(Min)
包装宽度 1.25
PCB 6
最大功率耗散 380
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 2
最大集电极基极电压 50
最大集电极发射极电压 45
供应商封装形式 SC-88
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
包装长度 2
包装高度 0.9
最大基地发射极电压 6@NPN|5@PNP
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 NPN, PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
供应商设备封装 SC-88/SC70-6/SOT-363
功率 - 最大 380mW
封装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 200 @ 2mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
增益带宽产品fT 100 MHz
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN/PNP
发射极 - 基极电压VEBO 6 V at NPN, 5 V at PNP
直流集电极/增益hfe最小值 200 at 2 mA at 5 V
直流电流增益hFE最大值 200 at 2 mA at 5 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 45 V, + 45 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO - 50 V, + 50 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Dual
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
宽度 1.25 mm
品牌 ON Semiconductor
集电极 - 发射极饱和电压 0.6 V, - 0.65 V
长度 2 mm
连续集电极电流 0.1 A
系列 BC847BP
身高 0.9 mm
Pd - Power Dissipation 380 mW

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